特點
● 適用於高頻10K~200KHZ,高壓3000VDC以下電路中
● 損耗小，溫升低，環溫 85℃溫升≤8℃
環溫105℃溫升≤6℃
● 高可靠性：Undc,85℃,1000H,△C≤±5%
105℃,1000H,△C≤±10%
● 低ESL,ESR;高dv/dt
結構
● 內部串聯卷繞結構
● 介質 : 聚丙烯膜
● 電極 :雙面金屬化膜.
● 引出端 : 銅端子
● 封裝 : UL94V-0阻燃性殼體和環氧樹脂封裝
主要用途
●IGBT吸收電容器